东芝(Toshiba)统筹存储器事业的副社长成毛康雄于6日举行的投资人说明会上表示，将冲刺NAND Flash产量，目标在2018年度将NAND Flash产量扩增至2015年度的3倍水准(以容量换算)。

关于已在2016年度开始量产的3D结构NAND Flash，成毛康雄指出，将强化3D Flash的生产，目标在2017年度将3D产品占整体生产比重提高至5成、2018年度进一步提高至9成左右水准。

东芝为全球第2大NAND Flash厂商，市占率仅次于三星电子。

日经、韩国先驱报(Korea Herald)7月6日报道，未具名消息指称，东芝打算与Western Digital在未来三年携手，对3-D NAND Flash投资1.5万亿日元(相当于146亿美元)。

根据双方协议，东芝、Western Digital会在日本三重县四日市的现有合资厂房新增芯片制造设备，大多数的资金会用来安装3-D NAND的制造装置。

东芝3月18日宣布，将在2016年度-2018年度的3年间总计砸下约8，600亿日元投资NAND Flash，除将兴建3D Flash新厂房之外，也将对现有厂房进行设备更新、提高3D Flash的生产比重。

最新报告显示，2016年Q1(1-3月)NAND Flash品牌商营收季减2.9%至80.64亿美元，已连续两季衰退。其中东芝NAND Flash营收季增12.8%、增幅远高于三星的1.2%。

Q1东芝NAND Flash全球市占率从2015年Q4(10-12月)的18.6%扬升至21.6%，与三星的市占差距从15个百分点缩小至13.5个百分点。Q1三星市占率为35.1%(2015年Q4为33.6%)稳居首位，第3-6名分别为闪迪(市占率15.1%)、美光(13.3%)、SK Hynix(7.9%)和英特尔(6.9%)。